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公开/公告号CN110373195A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;
申请/专利号CN201910560445.8
发明设计人 李春领;肖钰;程雨;谭振;温涛;邢伟荣;
申请日2019-06-26
分类号C09K13/12(20060101);
代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;
代理人张然
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2024-02-19 14:16:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-19
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K13/12 申请日:20190626
实质审查的生效
2019-10-25
公开
机译: 具有磷化镓和超晶格中间层的硅衬底上的外延砷化镓半导体
机译: 使用应变层超晶格制造外延砷化镓镓半导体晶片的方法
机译: CPD。用于改进的发光二极管的半导体衬底-在顶部或外延层上具有外延砷化镓-磷化物层,并具有结合了逐步和阶梯组合的改进的晶格匹配。变化
机译:电物理和光致发光的研究超晶格{LT-砷化镓/砷化镓为Si},通过分子束外延在GaAs衬底上生长具有(100)取向和(111)A
机译:NaGd_(0.935)Yb_(0.065)(WO _4)_2层在晶格匹配的四方双钨酸盐衬底上的外延生长,用于超快薄盘激光器
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:(100)锑化镓衬底外延就绪抛光表面的制备研究表明,MBE生长具有超低表面缺陷
机译:在红外光电探测器应用的锑化镓衬底上的应变平衡砷化铟-砷化铟铟II型超晶格。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:在mgO(100)和(110)衬底上的外延Co / Cr超晶格中的磁各向异性,耦合和传输