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一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法

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摘要

本发明公开一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，本发明测得的本征沉积速率与气相中间产物无关，代表的是源气体自身的沉积速率，沉积速率的大小通过实验前后多孔陶瓷片的质量差来确定，成本低。通过简单的数据处理就能得到前驱体的本征沉积速率，操作方便，快捷高效。

1. 一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法 [P] . 中国专利： CN110261256A . 2019-09-20
2. 一种用于CVD/CVI工艺的尾气处理方法及设备 [P] . 中国专利： CN104826430B . 2017.01.04
3. NMOS CVD ALD NMOS METAL GATE MATERIALS MANUFACTURING METHODS AND EQUIPMENT USING CVD AND ALD PROCESSES WITH METAL BASED PRECURSORS [P] . 韩国专利： KR20180015305A . 2018-02-12

机译： NMOS CVD ALD NMOS金属栅极材料的制造方法和设备，以及基于金属的前驱体的CVD和ALD工艺
4. A METHOD FOR MANUFACTURING A PRECURSOR FOR A PRIMARY PREFORM FOR OPTICAL FIBRES BY MEANS OF AN INTERNAL PLASMA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (PCVD) PROCESS. [P] . NL2011077C2 . 2015-01-05

机译：一种通过内部等离子体化学气相沉积（PCVD）工艺制造光纤原坯预制件的方法。
5. A METHOD FOR MANUFACTURING A PRECURSOR FOR A PRIMARY PREFORM FOR OPTICAL FIBRES BY MEANS OF AN INTERNAL PLASMA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (PCVD) PROCESS. [P] . NL2011077C . 2015-01-05

机译：一种通过内部等离子体化学气相沉积（PCVD）工艺制造光纤原坯预制件的方法。