公开/公告号CN110165018A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-23
原文格式PDF
申请/专利权人 横店集团东磁股份有限公司;
申请/专利号CN201910314126.9
申请日2019-04-18
分类号
代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏
地址 322118 浙江省金华市东阳市横店工业区
入库时间 2024-02-19 14:03:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20190418
实质审查的生效
2019-08-23
公开
公开
机译: 一种使用多晶硅制造包含薄膜晶体管的阵列基板的方法,该方法能够降低漏电流
机译: 一种低漏电多晶硅薄膜晶体管的制造方法
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