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一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域,公开了一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺。该方法包括以下步骤:上料;制绒;水洗;碱洗;水洗;有机物的清洗;水洗;酸洗;水洗;烘干;下料送入扩散炉管。本发明在现有的制绒完成之后,再对硅片进行相应配比浓度的化学品清洗,达到对硅片表面的有机物和其余杂质的再一次清洁,从而可以提升电池片的效率和电池片的Rsh,一般效率提升在0.01~0.02%左右,Rsh可以增加50以上,最终的成品电池中漏电不良品可以下降0.3~0.4%。

著录项

  • 公开/公告号CN110165018A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 横店集团东磁股份有限公司;

    申请/专利号CN201910314126.9

  • 发明设计人 贾松燕;任永伟;蔡万里;

    申请日2019-04-18

  • 分类号

  • 代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司;

  • 代理人尉伟敏

  • 地址 322118 浙江省金华市东阳市横店工业区

  • 入库时间 2024-02-19 14:03:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20190418

    实质审查的生效

  • 2019-08-23

    公开

    公开

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