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李儒兴; 程君; 李协吉;
上海华虹宏力半导体制造有限公司 上海 201203;
集成电路制造; 多晶硅; 化学机械研磨; 后清洗; 线宽; 自然氧化层;
机译:在多晶硅膜上增强CMP后清洁
机译:新型清洗液与各种螯合剂的比较,用于多晶硅膜上的CMP后清洗
机译:CMP后清洁技术和设备材料-每个CMP工艺的后清洁现状和问题
机译:Cu / Low-k结构上的CMP后清洗中的水印改善
机译:多晶硅,氧化硅和氮化硅CMP工艺。
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:新型清洗液与各种螯合剂的比较,用于多晶硅薄膜的Cmp后清洗
机译:多晶硅材料(pROpsm)的工艺研究
机译:CMP后清洁装置和CMP后清洁方法
机译:多晶硅:硅CMP处理高密度DRAM存储器单元结构-包括沉积第一和第二绝缘层,第一和第二多晶硅:第三绝缘层,去除多余的第二多晶硅:和第三绝缘层,形成电介质并沉积第三多晶硅:硅
机译:高去除率和低缺陷度的多晶硅和氮化物上的氧化物选择性的CMP CMP组合物
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