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进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法

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一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H

著录项

公开/公告号CN104253031B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-28

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201310267826.X
发明设计人田守卫;姜国伟;孙洪福;
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申请日2013-06-28
分类号
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:59:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-28

授权

授权
2015-01-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20130628

实质审查的生效
2015-01-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20130628

实质审查的生效
2014-12-31

公开

公开
2014-12-31

公开

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