具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件

摘要

本发明涉及具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件。描述了一种半导体器件，该半导体器件包括：设置在衬底中的第一N型阱区和与第一N型阱区接触的第二N型阱区；设置在第一N型阱区中的源极区；设置在第二N型阱区中的漏极区；以及与漏极区间隔开设置的第一栅电极和第二栅电极。在平面图中，源极区在垂直于第一栅电极或第二栅电极的方向上的最大垂直长度大于漏极区在该方向上的最大垂直长度。