用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法

摘要

本发明提供了一种用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法，包括：硅片涂胶步骤：在硅片表面进行涂布电子束光刻胶；电子束曝光显影步骤：对涂布有电子束光刻胶的硅片进行两次直写曝光并显影，得到至少两个相互垂直交叠的矩形图案；热回流步骤：对显影后的硅片进行加热；刻蚀步骤：对热回流后的硅片进行刻蚀。本发明通过使用电子束曝光临近效应以及热回流的方法，将制作纳米柱转化为直写光栅，使直写1mm2图形时间降低到20分钟，降为原来的1/80，极大地提高了图形直写效率。