垂直传输鳍场效应晶体管的底部介电隔离方法

摘要

一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。