科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110394462A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-01
原文格式PDF
申请/专利权人 清正源华(北京)科技有限公司;
申请/专利号CN201910706767.9
发明设计人 罗智文;王超;黄凯;王治国;李锴;郭婧;高凤霞;
申请日2019-08-01
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人孙楠
地址 100024 北京市朝阳区朝阳路8号9层2单元909
入库时间 2024-02-19 13:36:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-26
实质审查的生效 IPC(主分类):B23B19/02 申请日:20190801
实质审查的生效
2019-11-01
公开
机译: 基于GaN功率器件的GaN电池充电器体系结构
机译: 功率转换器件和基于GaN的半导体器件
机译:基于GaN和LED驱动器的GAN和SIC器件的高压低功耗开关电容器DC-DC转换器
机译:基于Ti / Al的p型SiC和GaN触点在功率器件中的应用
机译:检查功率器件促进Si / SiC器件更高的击穿电压GaN正在商业化用于高频应用
机译:GaN和SiC功率器件的高级驱动器和控制IC要求
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:基于SI,SiC和GaN的功率半导体器件结合电流馈电DC-DC谐振转换器的比较性能和评估研究
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性