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基于ZnO/CdS与CdTe量子点双信号光电传感器的构建方法

摘要

本发明公开了一种基于ZnO/CdS与CdTe量子点双信号光电传感器的构建方法,首先合成了具有良好光电化学信号的花状ZnO结构,该结构有大的比表面积,能够在负载更多的检测物;又在花状ZnO上负载了CdS,形成了异质结结构,因为能级的匹配进一步增加光电化学信号;另外在二抗上面不仅修饰了CdTe量子点并且标记了碱性磷酸酶,CdTe作为信号载体进行信号放大,利用CdTe量子点与ZnO/CdS的匹配能级,进一步的降低了检测线碱性磷酸酶原位产生抗坏血酸供电子,可以进一步提高光电流响应。

著录项

  • 公开/公告号CN110243887A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南大学;

    申请/专利号CN201910524391.X

  • 申请日2019-06-18

  • 分类号G01N27/26(20060101);G01N27/327(20060101);

  • 代理机构37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业);

  • 代理人李茜

  • 地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

  • 入库时间 2024-02-19 13:36:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/26 申请日:20190618

    实质审查的生效

  • 2019-09-17

    公开

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