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公开/公告号CN110127620A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-16
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN201910391024.7
发明设计人 邓勇辉;任元;邹义冬;
申请日2019-05-11
分类号C01B13/18(20060101);B82Y40/00(20110101);C01G41/02(20060101);C01G39/02(20060101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞;陆尤
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2024-02-19 12:36:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-10
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B13/18 申请日:20190511
实质审查的生效
2019-08-16
公开
机译: 原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的制备方法
机译: 金属氧化物纳米线阵列,以及制备方法
机译: 金属氧化物纳米线阵列及其制备方法
机译:碳酸钴碳酸钴纳米线阵列的有序分层FeOOH / NiFe分层双氢氧化物的构建,高效氧气纳米线阵列
机译:Cuco2O4纳米线阵列用金属氧化物纳米片作为超级电容器的分层多组分电极缠绕
机译:多孔石墨烯基底上垂直锚固的金属氧化物纳米线阵列的3D功能异质纳米结构
机译:高度有序,单结构域氧化铝纳米孔和金属纳米线阵列硅,用于半导体器件的片上集成
机译:基于垂直对准的金属氧化物纳米线阵列的高度敏感和选择性气体传感器
机译:Si(110)-16×2表面上模板有序的原子序精确原子自组织的完美有序的平行硅化铈纳米线阵列
机译:金属纳米线阵列在有序多孔模板中电沉积金属纳米线阵列的制造和应用
机译:有序和无序介电/金属纳米线阵列的形成及其等离子体行为。