InGaZnO薄膜晶体管的源漏电极及晶体管制备方法

摘要

本发明公开了一种InGaZnO薄膜晶体管的源漏电极及晶体管制备方法，源极和漏极通过掩膜板利用电子束依次蒸发生成钛和金层制备得到，该方法克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点。测试后结果表明，通过本方法制备得到的晶体管的阈值电压为4.5V，亚阈值摆幅较小，栅极偏压Vgs对器件的漏电流Ids有很好的调控作用，器件夹断特性良好。