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一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法。该方法包括以下步骤:制备一基底,该基底具有一基底表面且该基底表面包括一第一图案化表面和一第二图案化表面,形成该第一图案化表面的材料为氧化物或氮化物,形成该第二图案化表面的材料为云母;在所述基底表面形成一单层的二维过渡金属硫属化合物纳米材料;以及将该基底和二维过渡金属硫属化合物纳米材料在含氧气氛中进行退火,且通过控制退火温度使得只有该第二图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料被氧化去除,而该第一图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料形成一图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料。

著录项

  • 公开/公告号CN110098104A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810056222.3

  • 发明设计人 王学雯;刘锴;侯纪伟;洪圣哲;

    申请日2018-01-20

  • 分类号H01L21/02(20060101);C01G39/06(20060101);C01G41/00(20060101);C01B19/04(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

  • 入库时间 2024-02-19 12:22:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20180120

    实质审查的生效

  • 2019-08-06

    公开

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