一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计，具体提供一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，用以提高GGNMOS的鲁棒性。本发明现有GGNMOS结构基础上，在第二种导电类型阱区中采用N个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计，将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路径和寄生npn2路径两种路径变为寄生npn1路径、寄生npn2路径和SCR路径三种路径；由于电流泄放路径的增加，使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的鲁棒性；同时，本发明高鲁棒性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致，即本发明在相同版图面积的情况下，实现了更高的鲁棒性。