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一种对工艺引起MOS电容栅极漏电不敏感的PLL电路及其实现方法

摘要

本发明公开了一种对工艺引起MOS电容栅极漏电不敏感的PLL电路及其实现方法,旨在为高性能时钟系统提供高精度低抖动的时钟信号。该结构主要包括鉴频鉴相器(PFD)、电流可编程电荷泵、双通路LPF、压控振荡器(VCO)、VC初始化模块、检测模块和反馈分频器(DIV)等;本发明主要适用于时钟芯片、零延迟时钟缓冲芯片等。

著录项

  • 公开/公告号CN110061739A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长沙景美集成电路设计有限公司;

    申请/专利号CN201910417809.7

  • 发明设计人 郭斌;

    申请日2019-05-20

  • 分类号H03L7/093(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 410221 湖南省长沙市岳麓区梅溪湖路1号(景嘉微电子)

  • 入库时间 2024-02-19 12:22:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-26

    公开

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