公开/公告号CN110061739A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-26
原文格式PDF
申请/专利权人 长沙景美集成电路设计有限公司;
申请/专利号CN201910417809.7
发明设计人 郭斌;
申请日2019-05-20
分类号H03L7/093(20060101);
代理机构
代理人
地址 410221 湖南省长沙市岳麓区梅溪湖路1号(景嘉微电子)
入库时间 2024-02-19 12:22:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-26
公开
公开
机译: 使用多晶硅栅极的NMOS集成电路电容器-使用辅助离子注入来制造电容器,并使用自动对准扩散来实现电话模拟到数字转换器
机译: 使用多晶硅栅极的NMOS集成电路电容器-使用辅助离子注入来制造电容器,并使用自动对准扩散来实现电话模拟到数字转换器
机译: 电子设备,例如便携式电话具有开关电路,该开关电路选择性地选择高速配置或低泄漏电流配置,其中各个P沟道和N沟道MOS晶体管的栅极连接到输入