法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20190403
实质审查的生效
2019-07-12
公开
公开
机译: 用于在衬底上受控地形成材料特别是半导体材料的薄膜的装置以及使用该装置用于制造薄膜太阳能电池的材料特别是化合物半导体材料的薄膜的制备方法
机译: 一种通过化学浴沉积在半导体衬底上,特别是在吸收层上涂覆薄膜太阳能电池黄铜矿的硫化锌缓冲层的方法-
机译: 通过化学气相沉积法在硅衬底上制备镍薄膜的方法以及在硅衬底上制备硅化镍薄膜的方法