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公开/公告号CN110010724B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN201910264296.0
发明设计人 杨森;周超;于忠海;张垠;姚康康;李叶蓓;孔春才;
申请日2019-04-03
分类号H01L31/18(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人覃婧婵
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 11:18:54
机译: 用于在衬底上受控地形成材料特别是半导体材料的薄膜的装置以及使用该装置用于制造薄膜太阳能电池的材料特别是化合物半导体材料的薄膜的制备方法
机译: 一种通过化学浴沉积在半导体衬底上,特别是在吸收层上涂覆薄膜太阳能电池黄铜矿的硫化锌缓冲层的方法-
机译: 通过化学气相沉积法在硅衬底上制备镍薄膜的方法以及在硅衬底上制备硅化镍薄膜的方法
机译:(111)Pt / Ti / SiO_2 /(100)Si衬底上无铅(Na_(0.5)K_(0.5))Nb0_3-BaZr0_3-(Bi_(0.5)Li_(0.5))Ti0_3铁电薄膜的制备激光沉积
机译:退火对Mo衬底上制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜的影响及太阳能电池的制备
机译:使用直接热CVD在异质衬底上的薄膜多晶硅太阳能电池:材料和太阳能电池设计
机译:成膜对随机纹理化衬底上制备的硅薄膜太阳能电池界面形态的影响
机译:含硅化合物的化学和基于硅的微电子材料的分子方法。制备金属甲硅烷基络合物,研究亚烷基与硅烷之间的反应以及氧化钛薄膜的沉积。
机译:金属衬底上的异质外延Cu2O薄膜太阳能电池
机译:金属混合塑料超导体的制备:塑料衬底上的锡锑薄膜的电性能
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性