高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件技术领域，且公开了一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，包括以下步骤：首先，依次采用丙酮或乙醇和标准RCA清洗流程对P型重掺杂单晶硅片进行初洗和深度清洗。然后，采用水热腐蚀法制备纳米多孔硅柱状阵列。最后，以纳米多孔硅柱状阵列为基底，氯化铝为掺杂剂，采用化学水浴法制备铝掺杂的硫化镉纳米薄膜与纳米多孔硅柱状阵列。本发明将铝掺杂的硫化镉纳米薄膜与纳米多孔硅柱状阵列有机结合构建的新型发光二极管，可以充分利用纳米多孔硅柱状阵列的阵列、多孔结构，同时利用掺杂后硫化镉和纳米多孔硅柱状阵列较高的载流子迁移率，可有效增加载流子复合效率，提高发光二极管的发光效率。