包含具超晶格的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法

摘要

一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。该超晶格可以包含堆叠层组，每个层组都包含用于限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层，以及被约束于相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述至少一个DBRTD还可以包含在第一势垒层上的本征半导体层、在本征半导体层上的第二势垒层，以及在第二超晶格层上的第二掺杂半导体层。