首页> 中国专利> 使用基于卤化物的前体沉积无金属ALD氮化硅膜的方法

使用基于卤化物的前体沉积无金属ALD氮化硅膜的方法

摘要

一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法,其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中,所述方法包括:(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面,(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层,(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层,以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170919

    实质审查的生效

  • 2019-06-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号