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机译:氢在Sb膜沉积中的作用以及使用金属有机前体的循环等离子体增强化学气相沉积法沉积Sb和Ge_xSb_y膜的特性
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Republic of Korea;
phase change memory; germanium antimonide; Sb-incorporated GeSb; plasma enhanced chemical vapor deposition;
机译:等离子体增强化学气相沉积法沉积并表征TES / O_2前驱体形成的多孔低介电常数SiOC(-H)薄膜
机译:等离子体化学气相沉积和原子层沉积相结合沉积的掺Ge Sb-Te薄膜的生长和相分离行为
机译:脉冲液体注入等离子体增强金属有机化学气相沉积法沉积氧化钇和硅酸钇薄膜的微观结构和电学性质
机译:等离子体增强化学气相沉积沉积低温p型氢化微晶硅薄膜的表征
机译:氧化铈,氧化镓铟和氧化镁薄膜的金属有机化学气相沉积:前体设计,膜生长和膜表征。
机译:N2:(N2 + CH4)比在低温等离子体增强化学气相沉积法生长疏水纳米结构氢化氮化碳薄膜中的作用研究
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积沉积氢化非晶碳化硅薄膜
机译:通过等离子体增强化学气相沉积沉积的无定形碳膜作为平面化层。