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机译:使用Ansa-茂金属锆和ha前体通过液体注入MOCVD和ALD沉积ZrO2和HfO2薄膜
机译:使用Ansa-茂金属锆和ha前体通过液体注入MOCVD和ALD沉积ZrO2和HfO2薄膜
机译:使用新的cyclo-环戊二烯基前驱体通过液体注入MOCVD和ALD生长HfO2
机译:双(二乙基酰胺基)-双(二叔丁基丙二酸锆)锆为新型前驱体的ZrO2薄膜的注液MOCVD
机译:液体注入MOCVD薄膜沉积中用作TiO_2前体的新型化合物
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:四(二甲基氨基)锆和臭氧原子层沉积生长的高k ZrO2薄膜的结构和介电性能
机译:溶胶 - 凝胶沉积氧化物 - 离子导电薄膜;铪和钽碳化物的液体前体