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一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法

摘要

一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法,芯片包括硅基底,硅基底下方设有玻璃衬底,硅基底上面中心设有十字变形梁,十字变形梁和硅基底之间设有梁释放孔,十字变形梁的四条固支端宽度小于其中间部分宽度,十字变形梁的两条相对固支端上分别设置有两条压敏电阻,四条压敏电阻的两端布置有重掺杂的欧姆接触区,欧姆接触区通过金属引线和金属焊盘连接,四条压敏电阻连接构成惠斯通电桥输出信号;制备方法通过干法刻蚀工艺制备不同宽度的十字变形梁,同时背腔采用湿法腐蚀工艺可以制备不同厚度的十字变形梁;本发明将压阻式敏感方式和十字梁变形结构相结合,极大提高了传感器的量程、频响、灵敏度以及过载能力,其量程可达15万g。

著录项

  • 公开/公告号CN110045151A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201910304166.5

  • 申请日2019-04-16

  • 分类号G01P15/12(20060101);

  • 代理机构61215 西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人贺建斌

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2024-02-19 11:50:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P15/12 申请日:20190416

    实质审查的生效

  • 2019-07-23

    公开

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