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一种具有一维纳米阵列结构的薄膜热电偶及其制造方法

摘要

本发明属于薄膜热电偶制备技术,涉及一种具有一维纳米阵列结构的薄膜热电偶及其制造方法,包括基底,在基底上通过双靶磁控溅射工艺形成薄膜热电偶的电臂;对薄膜热电偶的一个电臂采用氧化铟锡靶材和贵金属靶材溅射,能够保证贵金属掺杂氧化铟锡的均匀性,同时保证在高温下的导电有较大的热电值输出,对薄膜热电偶的另一个电臂采用氧化锌靶材和贵金属靶材溅射;且设置双靶磁控溅射工艺的参数,使得溅射沉积形成的电臂为一维纳米阵列结构。提出一种具有一维纳米阵列结构的薄膜热电偶,这种薄膜热电偶的响应速度优于一般无特殊结构的薄膜热电偶,同时具有测温准确和抗疲劳的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN110042355A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国航发北京航空材料研究院;

    申请/专利号CN201910382177.5

  • 申请日2019-05-08

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/10(20060101);C23C14/18(20060101);G01K7/04(20060101);

  • 代理机构11008 中国航空专利中心;

  • 代理人仉宇

  • 地址 100095 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部

  • 入库时间 2024-02-19 11:27:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20190508

    实质审查的生效

  • 2019-07-23

    公开

    公开

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