基于内置非线性RRAM的3D垂直交叉阵列及其制备方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于内置非线性RRAM的3D垂直交叉阵列及其制备方法。该阵列包括带有隔离层的衬底，衬底上设置有由第一金属电极层和多层介质层交替堆叠的叠层结构，叠层结构上有间隔排列的条状垂直沟槽；沿条状垂直沟槽的垂直交叉方向有间隔排列的阻变介质层，阻变介质层在未刻蚀的叠层结构表面以及条状垂直内壁和底部均匀连续形成；阻变介质层上有第二电极层；与阻变介质层方向一致的叠层结构两侧边缘通过垂直刻蚀，形成裸露的第一电极。本发明采用内置非线性RRAM，解决了垂直RRAM难以集成1S1R结构的问题，从而避免潜行电流。适用于大规模三维集成存储器，具有高密度、制备工艺简单、成本低等优点。