利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于真空沉积室内的基片台上；（2）将真空放电室和真空沉积室内的真空抽至本底真空；（3）从螺旋波天线尾部将Ar气通入到放电腔室内，Ar气的流量为20‑100sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为200‑3000W，调节直流电源使轴向磁场强度为200‑5000 Gs；（4）将有机硅烷液体加热蒸发成气体，通入到真空沉积室内，在衬底上沉积碳化硅薄膜。本发明碳化硅薄膜制备的速度非常快，达到了0.93 mm/h，且制备的碳化硅薄膜均匀致密，具有粗糙度低、高的杨氏模量及显微硬度优势，且制备方法操作简单，成本低廉。