基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件

摘要

本发明涉及基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件。公开了一种以非常薄的半导体基底材料和沉积在其上的非晶半导体材料为基础来形成晶体半导体材料的方法。可以通过使用例如在380nm以下的适当的辐射波长来应用基于辐射的退火工艺技术，以便有效地将能量沉积限制到表面附近区域。可以可靠地保留半导体基底材料的固态和晶体底部，从而实现覆盖材料部分的结晶化，特别是先前沉积的非晶半导体材料的结晶化。完全耗尽的SOI晶体管元件的非常薄的沟道区域可以用作半导体基底材料，在该基底材料上在稍后的制造阶段中可以形成升高的漏极和源极区域，从而基本上避免任何工艺不规则性，其通常与在非常薄的半导体基底材料上的半导体材料的外延生长相关。