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碱金属掺杂铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法

摘要

本发明涉及一种碱金属掺杂铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法。本发明属于薄膜太阳电池技术领域。碱金属掺杂铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法:步骤1:将镀Mo的聚酰亚胺、钛箔或不锈钢箔衬底放置共蒸发腔室;步骤2:真空条件下在Mo背电极上共蒸发In、Ga、Se材料2-4min;步骤3:共蒸发Cu、In、Ga、Se材料25-30min;步骤4:共蒸发In、Ga、Se材料6-9min;步骤5:共蒸发NaF、Se材料8-12min;步骤6:共蒸发KF、Se材料4-6min;步骤7:保持衬底温度在340-360℃不变,停止Se蒸发源加热,直至Se蒸发源温度低于160℃后,铜铟镓硒薄膜吸收层制备完成。本发明具有界面结晶质量好,减少界面复合,保证吸收层薄膜表面具有良好的电学性能等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109841702A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201711203485.4

  • 发明设计人 杨亦桐;张超;邓朝文;乔在祥;

    申请日2017-11-27

  • 分类号

  • 代理机构天津市鼎和专利商标代理有限公司;

  • 代理人李凤

  • 地址 300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号

  • 入库时间 2024-02-19 10:33:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20171127

    实质审查的生效

  • 2019-06-04

    公开

    公开

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