具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法

摘要

该半导体结构包括具有第一区和与第一区相邻的第二区的半导体衬底；形成在第一区内的半导体衬底上的第一鳍；设置在第二区内的半导体衬底上的第一浅沟槽隔离(STI)部件；以及第一栅极堆叠件，包括直接设置在第一区内的第一鳍上的第一区段和延伸至第二区内的第一STI部件的第二区段。第一栅极堆叠件的第二区段包括依次堆叠的低电阻金属(LRM)层、第一氮化钽钛层、氮化钛铝层和第二氮化钽钛层。第一区内的第一栅极堆叠件的第一区段没有LRM层。本发明实施例涉及具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法。