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超级结及其制造方法、超级结的深沟槽制造方法

摘要

本发明提供一种超级结的及其制造方法、超级结的深沟槽制造方法,该超级结的深沟槽的制造方法,通过高分子聚合物气体对形成在衬底或者形成在衬底的外延层上的掩模层进行刻蚀形成硬掩模板,采用阶梯式递增的气体压力通过所述硬掩模板对所述衬底或者形成在衬底上的外延层进行分步刻蚀,以在衬底或者形成在衬底的外延层上形成深沟槽。本发明能够形成具有特征尺寸均匀性较好、深度均匀性较好和角度均匀性较好的深沟槽。

著录项

  • 公开/公告号CN109767980A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201910060771.2

  • 发明设计人 肖培;

    申请日2019-01-22

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2024-02-19 10:06:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20190122

    实质审查的生效

  • 2019-05-17

    公开

    公开

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