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一种适用于MLC NAN闪存的LDPC码译码方法

摘要

本发明公开了一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法,包括:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,根据所获得的低页数据和待译码数据确定存储单元的阈值电压范围;根据所确定的阈值电压范围计算对数似然比;以所计算的对数似然比为译码输入,对待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。本发明能够提高译码成功率、减少译码迭代次数,从而达到降低译码延迟、提高闪存读性能的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN109660263A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201811401607.5

  • 申请日2018-11-22

  • 分类号

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人曹葆青

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2024-02-19 09:57:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03M13/11 申请日:20181122

    实质审查的生效

  • 2019-04-19

    公开

    公开

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