使用沟道区延伸部在碳化硅金属氧化物半导体（MOS）器件单元中的电场屏蔽

摘要

本文中公开的主题涉及半导体功率器件，例如碳化硅(SiC)功率器件。具体而言，本文中公开的主题涉及形式为沟道区延伸部的屏蔽区，其减小在反向偏置下半导体器件的相邻器件单元的阱区之间存在的电场。所公开的沟道区延伸部具有与沟道区相同的导电类型，并从沟道区向外延伸并进入第一器件单元的JFET区中，使得沟道区延伸部和具有相同导电类型的相邻器件单元的区之间的距离小于或等于平行JFET宽度。所公开的屏蔽区实现相对于相当尺寸的常规带状器件的优异性能，同时仍提供相似的可靠性(例如在反向偏置时长期的高温稳定性)。