基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法

摘要

本发明公开了一种基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、漏区电极生长，制备出THz探测器底部器件；在THz探测器底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结构；将源极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的源极层，完成器件源极光栅化；将器件通过光刻刻蚀手段制备出符合要求的栅极光栅结构；将栅极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的栅极层，完成器件栅极光栅化。本发明制备工艺成熟可控，有利于实现探测器的集成化量产，并缩减太赫兹探测器的成本。