单晶硅片硼磷同扩的工艺

摘要

本发明属于半导体分立器件领域，具体涉及一种单晶硅片硼磷同扩的工艺。本发明的工艺包括以下的步骤：（1）将扩散炉升温，将附磷、附硼后的硅片放入扩散炉炉口，预热；（2）在扩散炉中持续通入洁净的空气；（3）再次将炉温升高；（4）将附磷的硅片推至恒温区，并且减少通气量；（5）核定扩散时间；（6）达到扩散时间后，降温，改为通氮气，并保温；（7）降温度，并保温；（8）保温结束后，将硅片拉至炉口；（9）预冷，将硅片取出，扩散完毕。采用本发明的工艺，通过一次就扩散完毕，大大的降低了产品的生产周期，提高了效率，节约成本，由于材料少了一次进炉高温的影响，大大的提高了产品的稳定性。