基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构

摘要

一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模，在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量，促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展，有利于推动产业进步。