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借助HIPIMS的具有减少的生长缺陷的TiCN

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本发明涉及一种用于借助HiPIMS在待涂覆基材的表面施加具有至少一个TiCN层的涂层的方法，其中，为了沉积所述至少一个TiCN层而采用至少一个含钛靶作为用于产生该TiCN层的钛源，该含钛靶在反应气氛中借助HiPIMS方法在涂覆室内被溅射，其中，该反应气氛包含至少一种稀有气体且最好是氩气和至少作为反应气体的氮气，其中，为了在沉积所述至少一个TiCN层时减少生长缺陷，该反应气氛作为第二反应气体附加包含含碳气体优选是CH

著录项

公开/公告号CN109154061A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔;
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申请/专利号CN201780029615.9
发明设计人徳尼斯·库拉珀夫;西格弗里德·克拉斯尼策尔;
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申请日2017-04-21
分类号
代理机构北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司;
代理人何志欣
地址瑞士普费菲孔市库尔街120号
入库时间 2024-02-19 09:35:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-29

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/00 申请日:20170421

实质审查的生效
2019-01-04

公开

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1. 借助HIPIMS的具有减少的生长缺陷的TiCN [P] . 中国专利： CN109154061B . 2021.07.13
2. 借助HIPIMS的具有减少的生长缺陷的TiCN [P] . 中国专利： CN109154061A . 2019-01-04
3. TiCN WITH REDUCED GROWTH DEFECTS WITH HiPIMS [P] . 俄罗斯专利： RU2018140962A . 2020-05-22

机译：具有HiPIMS的生长缺陷减少的TiCN
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