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用于增加可用平面表面积的半导体晶片处理方法

摘要

本发明提供了一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法。该方法包括步骤:选择带厚度,以将晶片分割为多个带;选择一种用于与大致平坦表面成某个角度,将晶片切割为带的技术,其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度;利用选择的技术,将晶片切割为带;以及将所述带互相分离。

著录项

  • 公开/公告号CN101299410B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太阳能改造有限公司;

    申请/专利号CN200810095550.0

  • 申请日2001-11-29

  • 分类号H01L21/301(20060101);H01L21/78(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人康建忠

  • 地址 澳大利亚新南威尔士

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/301 授权公告日:20120815 终止日期:20171129 申请日:20011129

    专利权的终止

  • 2015-04-29

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/301 变更前: 变更后: 登记生效日:20150408 申请日:20011129

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-04-29

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/301 变更前: 变更后: 登记生效日:20150408 申请日:20011129

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-08-15

    授权

    授权

  • 2012-08-15

    授权

    授权

  • 2008-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-05

    公开

    公开

  • 2008-11-05

    公开

    公开

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