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硅光子学中的III-V芯片制备和集成

摘要

通过将III‑V晶片固定到转移晶片来制造复合半导体激光器。去除III‑V晶片的衬底,并且将该III‑V晶片刻蚀成多个芯片,同时将该III‑V晶片固定到转移晶片。将该转移晶片单片化。该转移晶片的一部分用作手柄,用于将芯片键合在硅器件的凹槽中。该芯片用作半导体激光器的增益介质。

著录项

  • 公开/公告号CN109417266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 斯考皮欧技术有限公司;

    申请/专利号CN201780043053.3

  • 发明设计人 达米安·兰贝特;

    申请日2017-05-11

  • 分类号

  • 代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人林祥

  • 地址 美国新墨西哥州

  • 入库时间 2024-02-19 09:31:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/02 申请日:20170511

    实质审查的生效

  • 2019-03-01

    公开

    公开

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