异质结肖特基栅双极晶体管

摘要

本发明的某些实施例可以针对晶体管结构。所述晶体管结构可以包括半导体衬底。所述半导体衬底可以包括漂移区、集电极区、发射极区和轻掺杂/未掺杂区。所述轻掺杂/未掺杂区可以是轻掺杂和/或未掺杂的。所述晶体管结构还可以包括异质结构。所述异质结构与所述轻掺杂/未掺杂区形成异质结。所述晶体管结构还可以包括集电极端子。所述集电极端子与所述集电极区相接触。所述晶体管结构还可以包括栅极端子。所述栅极端子与所述异质结构相接触。所述晶体管结构还可以包括发射极端子。所述发射极端子与所述轻掺杂/未掺杂区和所述发射极区相接触。