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公开/公告号CN109564901A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201780046921.3
发明设计人 C·左;M·F·维纶茨;C·H·尹;D·F·伯蒂;D·D·金;J·金;
申请日2017-07-20
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人陈炜
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 09:00:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/15 申请日:20170720
实质审查的生效
2019-04-02
公开
机译: 玻璃无源(POG)结构的焊盘阵列(LGA)封装
机译: 无源玻璃(POG)结构的陆地网格(LGA)包装
机译:集成无源器件技术中的60 GHz片上缝隙阵列天线,用于天线封装应用
机译:用于单芯片60 GHz接收器的带有微带线栅阵列天线的球栅线阵列封装
机译:采用液面自组织的方法在洁净的玻璃片表面铺设单层六方密排的聚苯乙烯胶体球阵列,通过改变等离子 刻蚀的时间实现对胶体小球的直径控制,结合离子溅射Au膜和磁控溅射MoO2膜,最终构筑成为一种新颖的MoO2/Au微纳阵列结构,利用扫描电镜对所合成材料进行形貌表征;同时重点利用接触角测量仪对 微纳阵列薄膜的浸润性进行研究,分析水在微纳阵列表面所形成的接触角的角度变化,结果显示沉积 MoO2/Au微纳阵列比相应的Au微纳阵列更加亲水,有利于材料在水溶液中进行电化学反应。
机译:多线栅阵列(MLGA)封装中的嵌入式无源器件的设计和估算
机译:微波和毫米波针栅阵列和球栅阵列封装的开发。
机译:使用不完善的玻璃压印与纳米针阵列玻璃碳印章在玻璃基板上制备正弦交叉抗反射纳米结构。
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的无栅FET pH传感器HEMT结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管