改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺

摘要

本发明公开了一种改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，在进行重掺杂P型注入之前，在栅极端部向发射极接触孔的方向形成衬垫结构，然后以该衬垫结构作为阻挡进行重掺杂P型注入，重掺杂P型注入之后，去除衬垫结构。本发明能够通过调节氮化层沉积的时间、气体流量和压力等工艺参数来调节衬垫结构的宽度，从而能够将重掺杂P型区和栅极之间距离缩短至1um之内，从而能够大幅提高栅控型功率器件的安全工作区性能；本发明通过衬垫结构进行阻挡，不再需要光刻胶阻挡就能实现重掺杂P型注入的自对准，从根本上消除了发射极接触孔与栅极两层之间的光刻工艺对位存在的偏差对器件的影响；本发明工艺简单，有利于器件性能一致性的提高。