一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法，包括硅衬底、第一介质层、屏蔽外壳、第二介质层、碳纳米管束、第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘和第四金属焊盘。本发明将碳纳米管作为传输通道，并在碳纳米管两端设置四个金属焊盘，组成两个信号传输通道，分别传输正信号和负信号，利用了碳纳米管的各向异性，即其纵向电导率比横向电导率大7个数量级，这种正信号和负信号的差分结构设计可有抑制共模噪声和电磁干扰，效提高高速信号的传输质量；同时，本发明屏蔽外壳可以抑制差模噪声干扰，减小了对其他硅通孔的电磁干扰，可提高三维集成电路的整体性能；本发明缩小了差分传输结构的尺寸，有效提高了芯片面积的利用率。