二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用

摘要

本发明公开了一种二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO2/Si基底预处理；用透明胶带粘贴InSe材料后转移到SiO2/Si基底上，浸泡丙酮；真空条件下高温处理，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。