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梁雪静; 赵付来; 王宇; 张义超; 王亚玲; 冯奕钰; 封伟;
天津大学材料科学与工程学院 天津300072;
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室 天津300072;
硫硒化亚锗合金; 半导体材料; 微机械剥离; 光电探测器;
机译:化学镀硒化CdS薄膜硒化制备CdS_(1-x)Se_x薄膜的结构,光学和光电性能研究
机译:锗纳米晶和硒化锌对n-GaAs -p-(GaAs)_(0.69)(Ge_2)_(0.17)(ZnSe)_(0.14)异质结构的光电性能的影响
机译:用于光电传感器应用的纳米晶亚硒化型薄膜的光学,电气和光电性能
机译:非晶硅锗光电探测器的光电性能研究
机译:硒化铅量子点薄膜的光电性能。
机译:纳米结构锗沉积在具有增强光电性能的加热基板上
机译:范德华外延制备硒化铟薄膜的光学和光电性能
机译:FeWO4的制备及光电性能
机译:硒化亚甲基蓝,放射性亚硒化蓝的制备方法及其在上皮腺瘤小体勾画中的应用
机译:一种由硒化镉和含硫硒化镉的材料制成的光电导组件的生产方法
机译:大规模合成硒化锗玻璃和硒化锗玻璃化合物
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