MEMS结构的制造方法、MEMS结构及硅麦克风

摘要

本发明提供了一种MEMS结构的制造方法，包括如下步骤：S1、提供基底，包括叠设的结构层和硅基层；S2、执行主刻蚀工艺，自所述硅基层远离所述结构层的一端向所述结构层方向刻蚀出腔体孔，直至所述腔体孔接触所述结构层；S3、执行过刻蚀工艺，加深所述腔体孔并控制所述腔体孔的侧壁与所述结构层的夹角大于10°且小于90°。本发明还提供了一种MEM结构以及硅麦克风。与相关技术相比，本发明提供的一种MEMS结构的制造方法、MEMS结构及硅麦克风具有如下有益效果：通过将腔体孔的侧壁与结构层的夹角控制在大于10°且小于90°，从而有效改善了麦克风结构的结构可靠性。