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公开/公告号CN109557766A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201810819829.2
发明设计人 王英豪;钟嘉麒;钟含智;林裕翔;林育贤;吴育恒;许瀚文;
申请日2018-07-24
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2024-02-19 07:58:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/16 申请日:20180724
实质审查的生效
2019-04-02
公开
机译: 晶圆边缘曝光装置和使用该晶圆边缘曝光方法的晶圆边缘曝光方法
机译: 边缘曝光设备,边缘曝光方法以及具有该边缘曝光设备的基板处理设备
机译:具有常规防锈规范的比较和曝光测试,高剂量干燥结垂直边缘系统和耐腐蚀性测试场边缘
机译:MISTRAL:一种近视保留边缘的图像恢复方法,应用于天文自适应光学校正的长时间曝光图像
机译:开发用于计算边缘边缘边缘焊接管组统一工具参数的方法的方法
机译:一种新方法,用于监测和比较边缘曝光和等离子体加工电流损坏的新方法
机译:单曝光和双曝光光学微光刻的掩模设计:逆成像方法
机译:使用曲线传播算法对双曝光门图像中的辐射场进行边缘检测
机译:EEMEFN:通过边缘增强多曝光融合网络的低光图像增强
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。