一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法，包括如下步骤：（1）硅片去损伤&制绒；（2）磷扩散；（3）磷硅玻璃去除及背面抛光；（4）氧化铝制备；（5）氮化硅沉积；（6）印刷背电极；（7）背电场印刷；（8）正面印刷；（9）烧结、测试。本发明借鉴PERC电池结构，通过丝网印刷方式制备氧化铝钝化膜实现正反面钝化，整个制作过程不使用TMA（三甲基铝），工艺过程安全可靠、环境友好，而且通过两面氧化铝钝化，大大降低硅片正反面的表面复合，最终实现电池片转换效率的提升。