一种由于集电区背面接触不良引起的直流正偏二次击穿现象

摘要

本文以3DD200硅低频大功率晶体管为例,对由于芯片背面接触不良而引起直流正偏二次击穿的物理过程进行了分析.提出了在生产中用测量晶体管△V_(EB)对收集区背面进行监控的方法,并把所得结果与QD-2晶体管直流正偏二次击穿测试仪所测的结果进行了比较.结果证明:只要测试条件选择适当,二者有很好的对应关系,并提供了改善收集区背面接触的实验结果.