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半导体晶片背面图案与正面图案精确对准的方法

摘要

本发明包括制备半导体器件晶圆;在半导体器件晶圆的第一边上制备第一多个对齐标识;制备第一导电类型的第一图案;在半导体器件晶圆的第二边上制备第二多个对齐标识;通过将载体晶圆连接到半导体器件晶圆,制备一个连接晶圆;在载体晶圆的自由边上制备第三多个对齐标识;使用研磨工艺;制备多个器件结构组件;除去载体晶圆;使用研磨工艺和退火工艺;使用金属化工艺并使用分离工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN109216169A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体(开曼)股份有限公司;

    申请/专利号CN201810685615.0

  • 发明设计人 张磊;薛宏勇;王健;宁润涛;

    申请日2018-06-28

  • 分类号

  • 代理机构上海元好知识产权代理有限公司;

  • 代理人包姝晴

  • 地址 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1-1107邮政信箱709玛丽街122号和风楼

  • 入库时间 2024-02-19 07:41:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/033 申请日:20180628

    实质审查的生效

  • 2019-01-15

    公开

    公开

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