法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L41/113 申请日:20181024
实质审查的生效
2019-03-08
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 制造功率晶体管装置的多层结构的方法,制造用于异质结场效应晶体管装置的多层结构的方法以及基于氮化物的异质结场效应晶体管装置
机译: 基于压电聚合物微结构阵列的能量收集器制造方法